微細構造への金属・合金・半導体などの薄膜作成装置と方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-269402
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043249
出願日： 2000年07月21日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【目的】アスペクト比((微細孔や溝の深さ)/(微細孔や溝の入口径か巾))の大きい微細構造、特に穴や溝に金属・合金・半導体などをきちんと埋込む方法と装置を提供する。また作成された薄膜を結晶化する。【構成】気相中で薄膜を作成する技術(スパッタ・蒸着・イオンプレーティング・CVDなど)を用い薄膜を作成する期間の少くとも一時期に緩衝気体を導入し、アスペクト比の大きい微細構造(代表的な構造は、穴や溝)を埋込み平坦化する。さらにできた薄膜あるいは他の装置で作った薄膜に瞬間的に高密度エネルギーを照射し薄膜の結晶化と電気的性能の改善を行う。

請求項（抜粋）：

内部を真空にできる真空容器、前記真空容器内に設けられた少なくとも1つの薄膜源、少なくとも1つの基板保持系、少なくとも1系統の緩衝気体導入系よりなる薄膜作成装置。

IPC (7件)：

H01L 21/285 , C23C 14/22 , C23C 14/54 , H01L 21/20 , H01L 21/203 , H01L 21/28 , H01L 21/3205

FI (10件)：

H01L 21/285 S , H01L 21/285 C , H01L 21/285 P , H01L 21/285 Z , C23C 14/22 F , C23C 14/54 B , H01L 21/20 , H01L 21/203 S , H01L 21/28 B , H01L 21/88 M

Fターム (53件)：

4K029AA06 , 4K029BA08 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029DC00 , 4K029GA01 , 4M104BB01 , 4M104BB32 , 4M104BB37 , 4M104DD34 , 4M104DD36 , 4M104DD37 , 4M104DD39 , 4M104DD41 , 4M104DD43 , 4M104DD80 , 4M104FF22 , 4M104HH13 , 5F033HH11 , 5F033HH32 , 5F033JJ11 , 5F033JJ32 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033PP20 , 5F033PP22 , 5F033PP31 , 5F033QQ53 , 5F033XX02 , 5F052AA25 , 5F052BA06 , 5F052BA07 , 5F052DA02 , 5F052DB01 , 5F052DB04 , 5F052DB07 , 5F052JA01 , 5F103AA02 , 5F103AA08 , 5F103BB05 , 5F103BB06 , 5F103BB42 , 5F103BB43 , 5F103BB49 , 5F103DD28 , 5F103NN07 , 5F103RR10

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