特許

J-GLOBAL ID：200903016690207558

放射線2次元検出器

発明者： 木村 雄太郎 ,  竹本 隆之
出願人/特許権者： 株式会社島津製作所
代理人 (1件)： 西岡 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-278932
公開番号（公開出願番号）：特開2000-111653
出願日： 1998年09月30日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】 電荷増倍作用を持つ非晶質半導体層よりなる変換層の電荷増倍作用が、入射X線量に応じて変化するようにする。【解決手段】 電荷阻止層2の間に挟まれた電荷増倍作用を持つ非晶質半導体層3からなるX線を電荷に変換する変換層1と、スイッチング素子マトリックス6とが一体化されており、変換層1の信号電極5に対する共通のバイアス電極4を、抵抗Rを介してバイアス電源Eに接続した。

請求項（抜粋）：

一方面にバイアス電極を、他方面に検出素子が縦横に配列するように形成されたマトリックス状の信号電極とを有する、電荷阻止層に挟まれた電荷増倍作用を持つ非晶質半導体からなる、放射線を電荷に変換する変換層と、前記変換層の信号電極を2次元的に走査し、変換層に蓄えられた電荷を読み出すスイッチング素子マトリックスとを備えた放射線2次元検出器であって、前記変換層のバイアス電極を、インピーダンス素子を介してバイアス電源に接続したことを特徴とする放射線2次元検出器。

IPC (4件)：

G01T 1/24 ,  G01T 1/00 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/09

FI (4件)：

G01T 1/24 ,  G01T 1/00 B ,  H01L 27/14 K ,  H01L 31/00 A

Fターム (39件)：

2G088EE01 ,  2G088FF02 ,  2G088FF14 ,  2G088FF18 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ33 ,  2G088JJ35 ,  2G088JJ37 ,  2G088KK05 ,  2G088KK40 ,  4M118AA02 ,  4M118AA08 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CB05 ,  4M118CB14 ,  4M118FA06 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118GA10 ,  5F088AA09 ,  5F088AA11 ,  5F088BA05 ,  5F088BA20 ,  5F088BB03 ,  5F088BB07 ,  5F088CB05 ,  5F088DA03 ,  5F088DA05 ,  5F088FA04 ,  5F088FA05 ,  5F088GA02 ,  5F088KA01 ,  5F088KA02 ,  5F088KA03 ,  5F088KA08 ,  5F088KA10 ,  5F088LA08