特許

J-GLOBAL ID：200903016693631970

ヘテロ接合型バイポーラトランジスタおよびその製造方法

発明者： 栗島 賢二 ,  松岡 裕
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-189269
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037102
出願日： 1992年07月16日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】 ベース/コレクタ間の寄生容量の低減を図る。【構成】 半導体基板と、この半導体基板の主表面に形成されたコレクタコンタクト層と、このコレクタコンタクト層の主表面に形成されたコレクレタ層と、このコレクタ層の主表面に形成されたベース層と、このベース層の主表面に形成されたエミッタ層とからなるヘテロ接合型バイポーラトランジスタにおいて、前記コレクタコンタクト層は、外部ベース領域に重畳しないように選択的領域に形成された埋め込み層から構成されている。

請求項（抜粋）：

半絶縁性基板と、この半絶縁性基板の主表面に形成されたコレクタコンタクト層と、このコレクタコンタクト層の主表面に形成されたコレクレタ層と、このコレクタ層の主表面に形成されたベース層と、このベース層の主表面に形成されたエミッタ層とからなるヘテロ接合型バイポーラトランジスタにおいて、前記コレクタコンタクト層は、外部ベース領域に重畳しないように選択的領域に形成された埋め込み層から構成されていることを特徴とするヘテロ接合型バイポーラトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-081759
  
• 特開昭60-177672
  
• 特開昭64-030269