画像表示装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-189086
公開番号（公開出願番号）：特開平9-033952
出願日： 1995年07月25日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【課題】この発明は、MOSトランジスタ部近傍における光導電効果によるリーク電流の発生を抑制し、品質の優れた画像表示が実現できる液晶プロジェクタを構成できる画像表示装置を提供することを課題とする。【解決手段】半導体基板11の一主面上に、それぞれソース領域18およびドレイン領域を有するそれぞれ画素を構成するMOSトランジスタを配列し、このMOSトランジスタの上に層間絶縁膜23を介して、トランジスタそれぞれに電気的に接続される反射電極241 、242 、...を形成する。この反射電極241 、242 、...はそれぞれ画素に対応し、画素単位に間隙によって区分されているもので、この間隙それぞれに対応して層間絶縁膜23に至る溝251 、252 、...が形成されていて、この溝251 、252 、...内部に遮光性絶縁膜26、27の層が埋め込み形成されて、前記間隙を通過する入射光を遮断するようにしている。

請求項（抜粋）：

一主面上にそれぞれ表示画素に対応する多数のMOSトランジスタをマトリクッス状に配列形成した半導体基板と、この半導体基板の前記一主面上の前記配列されたMOSトランジスタを覆うように形成された層間絶縁膜と、この絶縁膜上に前記多数のMOSトランジスタそれぞれの画素領域に対応して形成され、それぞれ対応するMOSトランジスタに接続されてこのMOSトランジスタそれぞれと反対側の面に反射面が設定されるようにして、それぞれ隣り合う部分で前記層間絶縁膜に至る間隙部による溝で区画された前記画素それぞれに対応する多数の反射電極と、前記多数の画素それぞれに対応する反射電極を区画する前記溝部分に埋設された近赤外から可視領域の特定波長領域の光を吸収する少なくともの1層の遮光性絶縁層と、を具備したことを特徴とする画像表示装置。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1333 505 , G02F 1/1335 , H01L 29/786

FI (5件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1333 505 , G02F 1/1335 , H01L 29/78 613 A , H01L 29/78 619 B

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