特許

J-GLOBAL ID：200903016705899176

加工方法及び電子デバイスの製造方法

発明者： 奥村 智洋 ,  斎藤 光央 ,  木村 忠司 ,  矢代 陽一郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-231434
公開番号（公開出願番号）：特開2003-045855
出願日： 2001年07月31日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：

【要約】【課題】 窒化アルミニウム膜または窒化アルミニウムガリウム膜上の窒化ガリウム膜をエッチング加工するに際して、高いエッチング選択比で加工する。【解決手段】 真空容器1内に、ガス供給装置2からアルゴンと塩素の混合ガスを導入しつつ、排気装置としてのターボ分子ポンプ3により排気を行い、真空容器1内を所定の圧力に保ちながら、アンテナ用高周波電源4により100MHzの高周波電力をアンテナ5に供給することにより、真空容器1内にプラズマを発生させ、基板電極6上に載置された基板7上に形成された窒化アルミニウム膜上の窒化ガリウム膜をエッチングするに際し、基板に90MHzの高周波電力を供給する。

請求項（抜粋）：

真空容器内の基板電極に基板を載置し、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内にプラズマを発生させ、基板上に形成された窒化アルミニウム膜上の窒化ガリウム膜をエッチングする加工方法であって、基板電極に30MHz乃至150MHzの高周波電力を供給することを特徴とする加工方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 21/302 A ,  H01L 29/80 B

Fターム (22件)：

5F004AA05 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004CA06 ,  5F004CA08 ,  5F004DA04 ,  5F004DA23 ,  5F004DB19 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GN04 ,  5F102GR04 ,  5F102GR10 ,  5F102HC16