特許

J-GLOBAL ID：200903016707907940

フォトカプラ

発明者： 海野 恒弘 ,  佐藤 豊彦 ,  高橋 進 ,  高橋 健
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-211267
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342932
出願日： 1993年08月26日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：

【要約】【目的】フォトカプラの電流伝達比を向上する。【構成】同一基板101に発光ダイオード102と受光ダイオード103を形成する。発光ダイオード102は半絶縁性GaAs基板101の一面にp型GaAs層104とn型GaAs層107を積層して形成する。受光ダイオード103は発光ダイオード102の対向する基板101の他面に、p型GaAs層105とn型GaAs層108を積層して形成する。円形に残したn型GaAs層107,108にn側電極109,110を形成し、表面に露出したp型GaAs層104,105にp側電極112,113を形成する。これにより同一チップ内に発光ダイオードと受光ダイオードが設けられたフォトカプラができる。発光ダイオード102から出た光は、基板101内を透過し基板101から外に出ることなく、他面の受光ダイオード103に入射する。

請求項（抜粋）：

同一の半絶縁性半導体基板に発光素子と受光素子とを形成し、前記発光素子で発生した光を前記基板内を透過させて前記受光素子で受光する構造としたことを特徴とするフォトカプラ。