特許
J-GLOBAL ID：200903016709671269
トレンチの埋め込み平坦化法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-089575
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069332
出願日： 1991年03月28日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】本発明はトレンチ内絶縁膜の過不足に関係ない、シャロートレンチ素子分離の平坦化法を提供することが目的である。【構成】半導体基板1上に酸化膜4(パッドSiO2 膜)と易酸化膜5(ポリSi膜)を形成後に溝2を形成し、絶縁膜3を埋め込み、更に該絶縁膜3上に易酸化保護膜6(ポリSi膜)を形成してトレンチ内絶縁膜3をマスク後、ポリSiとSiO2 のエッチング速度差を利用してエッチバックし、酸化膜表面が露出後犠牲酸化し、最終に全表面の被酸化膜をエッチングして絶縁膜3の表面を半導体基板1の表面と同じ高さに平坦化し、溝のコーナーの露出によるアイソレーション膜の耐圧不良のない半導体装置を、露光工程やマスク合わせを必要とせずに、トレンチ内絶縁膜の過不足に関係なく容易に得ることを可能にする。
請求項（抜粋）：
基板上に少なくとも酸化膜及び易酸化膜を形成する工程と、少なくとも前記易酸化膜及び前記酸化膜の素子領域以外の領域を除去して前記基板に溝を形成する工程と、前記溝をバイアスECR-CVDにより形成した絶縁膜で埋め込む工程と、前記絶縁膜上に減圧CVDにより易酸化保護膜を形成する工程と、前記易酸化保護膜及び易酸化膜をRIE法でエッチングして酸化膜を露出させる工程と、前記基板上の全膜体を犠牲酸化する工程と、該工程で形成された前記基板上の全被酸化膜を除去する工程とを備えたことを特徴とするトレンチの埋め込み平坦化法。
IPC (4件)：
H01L 21/76
, H01L 21/316
, H01L 21/318
, H01L 27/04
