半導体素子用放熱基板

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮崎新八郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-282605
公開番号（公開出願番号）：特開2001-105124
出願日： 1999年10月04日
公開日（公表日）： 2001年04月17日
要約：

【要約】【課題】半導体素子用放熱基板に要求される高熱伝導性と低熱膨張性を具備するセラミックス-金属複合体を提供する。【解決手段】この放熱基板は、一方の表層が緻密層で、該表層から他方の表層に向かって気孔率が漸次増加した多孔層を有するセラミックス焼結体をプリフォームとし、多孔層に金属を含浸することにより形成されたセラミックス-金属複合体である。素子搭載面となる側の表層(11)はセラミックス単一層、中間層(121〜123)及び放熱面となる側の表層(124)は金属含浸層である。金属含浸層(12)は、表層(11)から表層(124)に向かって金属含有率が漸増した層厚方向の傾斜構造を有する。プリフォームとして層厚方向にセラミックス組成を変化させた焼結体が使用される場合もある。所望により金属含浸層の表層(124)に金属フィンが積層形成される。

請求項（抜粋）：

一方の表層がセラミックス単一層、中間層および他方の表層が金属含浸層であるセラミックス-金属複合体からなる半導体素子用放熱基板であって、緻密層である一方の表層と、該一方の表層から他方の表層に向かって気孔率が漸次増加している多孔層を有するセラミックス焼結体をプリフォームとし、プリフォームの多孔層内に金属を含浸してなる半導体素子用放熱基板。

IPC (3件)：

B22D 19/00 , C22C 1/10 , H01L 23/373

FI (4件)：

B22D 19/00 F , B22D 19/00 E , C22C 1/10 G , H01L 23/36 M

Fターム (12件)：

4K020AA22 , 4K020AB01 , 4K020AC01 , 4K020AC04 , 4K020BA02 , 4K020BB26 , 5F036AA01 , 5F036BB05 , 5F036BB08 , 5F036BD01 , 5F036BD03 , 5F036BD13

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