特許

J-GLOBAL ID：200903016714009736

光起電力装置の製造方法

発明者： 浅海 利夫 ,  寺川 朗
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-082152
公開番号（公開出願番号）：特開2004-289058
出願日： 2003年03月25日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：

【課題】出力特性を向上させることが可能な光起電力装置の製造方法を提供する。【解決手段】この光起電力装置の製造方法は、n型単結晶シリコン基板1の表面上に実質的に真性なi型非晶質シリコン層2aを形成する工程と、この後、前記実質的に真性なi型非晶質シリコン層2aに水素を導入する工程とを備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

結晶系半導体の表面上に実質的に真性な非晶質半導体層を形成する工程と、 この後、前記実質的に真性な非晶質半導体層に水素を導入する工程とを備えた、光起電力装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L31/04 ,  C23C14/48 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322

FI (5件)：

H01L31/04 V ,  C23C14/48 A ,  H01L21/205 ,  H01L21/322 Z ,  H01L21/265 P

Fターム (26件)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BB10 ,  4K029BC07 ,  4K029BD01 ,  4K029CA10 ,  4K029EA00 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045AD05 ,  5F045AE19 ,  5F045AF03 ,  5F045CA13 ,  5F051AA05 ,  5F051AA16 ,  5F051CA07 ,  5F051CA08 ,  5F051CA16 ,  5F051DA04 ,  5F051DA20 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA14 ,  5F051GA04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 太陽電池及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-212425   出願人：シャープ株式会社
• 特開平4-199750
  
• 光起電力装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-105001   出願人：三洋電機株式会社