特許
J-GLOBAL ID：200903016715488166
酸化物超電導体及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡邉 一平 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-076609
公開番号（公開出願番号）：特開平5-279030
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月26日
要約：
【要約】【構成】 気孔率が7%未満であるバルク状酸化物超電導体。酸化物超電導体の原料粉末又は仮焼粉末を成形した成形体を加熱して溶融した後、熱処理を行い結晶化する酸化物超電導体の製造方法において、酸素濃度が25重量%以上の雰囲気中で溶融を開始させ、次いで溶融開始時よりも酸素濃度が低い雰囲気中で溶融処理を行うバルク状酸化物超電導体の製造方法。【効果】 溶融物にとけ込んでいる気体を除去することにより酸化物超電導体へ気体の取り込みを防止し、気孔率の小さなバルク状酸化物超電導体が得られる。
請求項（抜粋）：
気孔率が7%未満であることを特徴とするバルク状酸化物超電導体。
IPC (5件)：
C01G 3/00 ZAA
, C01G 1/00
, C30B 29/22 501
, H01B 12/02 ZAA
, H01B 13/00 565
