特許
J-GLOBAL ID：200903016715492449
半導体圧力センサ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-030888
公開番号（公開出願番号）：特開平7-218365
出願日： 1994年02月01日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】 圧力センサの歩留りを上げるとともにセンサ感度の低下を防ぐ。【構成】 フレーム1に窪み4を形成し、窪み4と空間的につながれた配線部6及びパッド部5を凹設する。パッド部5には可動電極8と接続した可動電極取出しパッド9と固定電極取出しパッド10を形成する。また配線部6には取出し配線14及び圧着パッド13を形成する。カバー2の内面に固定電極8とそれと接続された接続配線14を形成し、カバー2の周辺部を陽極接合法等によりフレーム1に接合する。このとき、接続配線14は圧着パッド13に圧着され、固定電極8は固定電極取出しパッド10に電気的に接続される。カバー2に取出し穴15をカバー2の端部にかからない位置に2つ開口し、取出し穴15、15よりそれぞれ両取出しパッド9、10に接続されたボンディングワイヤをそれぞれ引き出す。また、取出し穴15より窪み4内に基準圧力を導入する。
請求項（抜粋）：
接合した2枚の基板間に圧力室を形成し、前記圧力室の内面に設けた電極間の静電容量の変化として圧力を検知する静電容量型センサにおいて、前記圧力室に圧力を導入するための穴と前記電極と電気的に接続した取出し配線を引き出すための穴とを兼ねた穴部を、前記基板のいずれか一方の基板の端部にかからない位置に設けたことを特徴とする静電容量型圧力センサ。
IPC (2件)：
G01L 9/04 101
, H01L 29/84
