特許
J-GLOBAL ID:200903016719996603

高分子金属錯体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-236373
公開番号(公開出願番号):特開平5-070592
出願日: 1991年09月17日
公開日(公表日): 1993年03月23日
要約:
【要約】【目的】 トリスビピリジン金属錯体もしくはその類似体の金属錯体を含む高分子金属錯体で、ラングミュアーブロジェット法で製膜可能な高分子金属錯体を得る。【構成】 ポリイミド金属錯体。
請求項(抜粋):
下記一般式【化1】〔式中のR1 は4価の有機基、R2 は下記式【化2】{式中のL1 およびL2 は次式【化3】(式中のRは水素原子、メチル基またはフェニル基を示す)で表わされる配位子であり、X- はアニオンを示す}で表わされる金属錯体であり、1つの2,2′-ビピリジンがその5,5′の位置においてイミド環の窒素Nに結合している。〕で表わされる繰り返し単位を有するポリイミドを構成成分とする高分子金属錯体。
IPC (4件):
C08G 73/10 NTN ,  C08G 79/14 NUR ,  C08J 5/18 CFG ,  C08L 79:08

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