特許
J-GLOBAL ID：200903016723529769
基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
津国 肇 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-198348
公開番号（公開出願番号）：特開平11-231553
出願日： 1998年07月14日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】 半透過型位相シフトマスクと化学増幅型レジストとを用いてレジストパターンをその上に有する基板を製造する際に発生するサイドロブの問題を解決しようとするものである。【解決手段】 本発明は、その上に硬化したフォトレジストパターンを有する基板の製造方法であって、該基板の上に塗布されたフォトレジストを、フォトマスクを介した露光の後、現像の前で、アルカリ性のガスと接触させることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
その上に硬化したフォトレジストパターンを有する基板の製造方法であって、該基板の上に塗布されたフォトレジストを、フォトマスクを介した露光の後、現像の前で、アルカリ性のガスと接触させることを特徴とする方法。
IPC (4件)：
G03F 7/38 512
, G03F 7/039 601
, G03F 7/26
, H01L 21/027
G03F 7/38 512
, G03F 7/039 601
, G03F 7/26
, H01L 21/30 568
