特許
J-GLOBAL ID:200903016724204502
膜形成方法及びその装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
浅井 章弘 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-034120
公開番号(公開出願番号):特開平7-221087
出願日: 1994年02月07日
公開日(公表日): 1995年08月18日
要約:
【要約】【目的】 ホットプレートを不要とし、且つCVD膜の形成と塗布膜の溶剤の蒸発・焼き締めを同一の処理炉内で行うようにした膜形成装置を提供する。【構成】 高速な昇温及び降温が可能になされた熱処理炉30にて、まず、保持具に収容された被処理体Wに、例えばCVDにより成膜処理を施す。この被処理体は、アンロードされた後、移載手段34により塗布処理部28へ一枚ずつ搬送され、ここで例えばSOG溶液のような処理液が塗布される。処理液が塗布された被処理体は、移載手段により再度、保持具32に移載された後、熱処理炉内へ導入される。この被処理体は、炉内でまず第1の温度まで加熱されて塗布された処理液中の溶剤が蒸発され、引き続いて第2の温度まで昇温されて、処理液を焼き締めて塗布膜を形成する。これにより、従来必要とされたホットプレートや成膜用の熱処理炉を不要にする。
請求項(抜粋):
高速な昇温及び降温が可能になされ、被処理体に成膜処理を含む熱処理を施すことが可能な熱処理炉と、複数の前記被処理体を保持して前記熱処理炉に対して搬入搬出するための保持具と、前記被処理体に処理液を塗布する塗布処理部と、前記保持具と前記塗布処理部との間で前記被処理体の受け渡しを行うことが可能な移載手段と、前記熱処理炉内にて成膜処理した前記被処理体を前記塗布処理部内に移載してこの表面に処理液を塗布し、処理液の塗布された前記被処理体を再度前記熱処理炉内に搬入した後、前記被処理体上の処理液の溶剤を蒸発させるために熱処理炉内を第1の温度に設定し、次いで焼き締めて塗布膜を形成するために第2の温度に昇温するように制御する制御部とを備えるように構成したことを特徴とする膜形成装置。
IPC (2件):
前のページに戻る