特許

J-GLOBAL ID：200903016732219098

イオン検出装置

発明者： 廣岡 恵
出願人/特許権者： 株式会社島津製作所
代理人 (1件)： 西岡 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-073578
公開番号（公開出願番号）：特開平9-265936
出願日： 1996年03月28日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】 変換ダイノードのグリッドを除去し、変換ダイノードのイオンの入射口の面積を小さくしてイオンの散乱の影響を除去した場合にも、イオンの中心軌道の変化を補償してイオンの変換ダイノードへの入射効率を高めることができるようにする。【解決手段】 四重極14で質量分離され、第2イオンレンズ15により引き出されたイオンは、偏向電極9に向かい、ここで軌道を調整された後、変換ダイノード1に入射して二次電子e- に変換される。この二次電子e- はAl層6を透過してシンチレータ7に達し、そこで発生した蛍光はAl層6で反射した後、又は直接に光電子増倍管8に入射し、この光電子増倍管8からイオンの検出信号が出力される。そして、イオンの中心軌道が変化し、イオンの軌道が変換ダイノードのイオン入射口2からはずれてイオンの入射効率が低下した場合には、偏向電極9に印加する電圧を調整することにより、変換ダイノード1のイオン入射口2の中央にイオンの中心軌道を移動させることができる。

請求項（抜粋）：

入射口より入射するイオンの進行方向から偏向した位置に設けられた変換ダイノードと、入射イオンによって上記変換ダイノードで生成される二次電子を検出する二次電子検出器とを有するイオン検出装置において、入射口と変換ダイノードとの間にイオン偏向電極が設けられ、このイオン偏向電極に印加される電圧が上記変換ダイノードに印加される電圧に比べて小さいことを特徴とするイオン検出装置。

IPC (3件)：

H01J 49/04 ,  G01N 23/225 ,  G01N 27/62

FI (3件)：

H01J 49/04 ,  G01N 23/225 ,  G01N 27/62 B