特許

J-GLOBAL ID：200903016738341146

化合物半導体結晶及びその成長法

発明者： 竹内 隆
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 川澄 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-211953
公開番号（公開出願番号）：特開2002-025921
出願日： 2000年07月07日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】MOVPE法であれMBE法であれ、δドープ層界面をよりシャープにして電子移動度の向上を図った化合物半導体結晶及びその成長法を提供すること。【解決手段】基板上にδドープ層を有して成る化合物半導体結晶において、前記δドープ層を2種類以上のドーパント元素により成長したことにある。

請求項（抜粋）：

基板上にδドープ層を有して成る化合物半導体結晶において、前記δドープ層は2種類以上のドーパント元素により成長して成ることを特徴とする化合物半導体結晶。

IPC (8件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/30 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/30 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/80 H

Fターム (28件)：

4K030AA11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA25 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F003BP31 ,  5F003BP32 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045AB39 ,  5F045AC19 ,  5F045BB05 ,  5F045CA02 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045DA58 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC04