特許
J-GLOBAL ID：200903016742633569
不活性化された酸化ケイ素系薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-068610
公開番号（公開出願番号）：特開平11-264067
出願日： 1998年03月18日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：
【要約】【課題】 (1)真空下でケイ素薄膜を形成する第1工程と、(2)前記ケイ素薄膜を酸化して酸化ケイ素系薄膜に変える第2工程とからなる方法で、酸化ケイ素系薄膜を製造する方法(反応法)が最近開発された。しかし、得られた薄膜は、表面が活性(多くの場合、水との静止接触角0度)で、反応性ガスや水分の雰囲気下で、それらによって汚染され易いことが判明した(課題が新規)。【解決手段】 本発明は、これに(3)得られた薄膜の表面をケイ素系撥水剤で処理することにより不活性化する第3工程を付加した。【効果】 これにより、不活性化(多くの場合、同90度以上)され安定化し汚染され難くなる。
請求項（抜粋）：
真空下でケイ素薄膜を形成する第1工程と、前記ケイ素薄膜を酸化して酸化ケイ素系薄膜に変える第2工程と、前記酸化ケイ素系薄膜の表面をケイ素系撥水剤で処理することにより不活性化する第3工程とからなる「不活性化された酸化ケイ素系薄膜」の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/10
, C23C 14/58 A
