半導体薄膜素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-084504
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277830
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】電子移動度の低下を最小限に抑えつつ、抵抗の温度依存性を低減させ、さらに薄膜製作の再現性や制御性に優れたn型ドーパントを含むInSb薄膜を用いた半導体薄膜素子を提供する。【解決手段】基板上に直接的にまたは有機物絶縁層を介して間接的に積層された III-V族化合物半導体薄膜層を動作層とし、該動作層中もしくは該動作層と隣接した電気抵抗の高い層中にSnを含ませ、前記動作層中の伝導電子濃度を2×1016cm-3以上とした。

請求項（抜粋）：

基板上に直接的にまたは有機物絶縁層を介して間接的に積層された III-V族化合物半導体薄膜層を動作層とし、該動作層中もしくは該動作層と隣接した電気抵抗の高い層中にSnを含むことを特徴とした半導体薄膜素子であって、前記動作層中の伝導電子濃度が2×1016cm-3以上であることを特徴とする半導体薄膜素子。

IPC (5件)：

H01L 43/06 , G01B 7/00 , G01R 33/07 , G01R 33/09 , H01L 43/08

FI (5件)：

H01L 43/06 S , G01B 7/00 J , H01L 43/08 S , G01R 33/06 H , G01R 33/06 R

Fターム (9件)：

2F063GA52 , 2F063GA79 , 2G017AB05 , 2G017AC04 , 2G017AC06 , 2G017AD53 , 2G017AD55 , 2G017AD61 , 2G017AD65

引用特許：

審査官引用 (8件)

特許第2571296号
半導体センサおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-189750 出願人：旭化成工業株式会社
特開平3-211778

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