特許

J-GLOBAL ID：200903016756073019

電圧制御半導体装置のためのSiC層中にチャンネル領域層を形成する方法

発明者： ハリス,クリストファー
出願人/特許権者： エービービー リサーチ リミテッド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-505905
公開番号（公開出願番号）：特表2000-514604
出願日： 1997年06月09日
公開日（公表日）： 2000年10月31日
要約：

【要約】電圧制御半導体装置を製造するためのSiC層(2)中にチャンネル領域層(3)を形成するための方法において、SiC層の表面近辺層(5)中にn-型ドーパント及びp-型ドーパントをインプラントする。インプラントされたp-型ドーパントは、インプラントされたn-型ドーパントよりもSiC中で一層大きな拡散速度を有する。次にインプラントしたp-型ドーパントが前記表面近辺層から、僅かにn-ドープしたSiC層の周囲の領域中へ拡散するような温度で、p-型ドーパントが優勢なチャンネル領域層が形成される程度までSiC層を加熱する。

請求項（抜粋）：

電圧制御半導体装置を製造するためのSiC層中にドープしたn-型領域を両横側に有するドープしたp-型チャンネル領域層を形成するための方法において、 1) 僅かにn-ドープしたSiC層(2)の上表面の上にマスク層(1、3)を適用し、 2) 前記マスク層中にSiC層まで伸びる孔(4)をエッチングし、 3) 前記孔によって定められた前記SiC層の領域中にn-型ドーパントをインプラントし、前記領域の下のSiC層の表面近辺の層(5)中に大きな濃度のn-型ドーピングを得、 4) 工程3)でインプラントしたn-型ドーパントよりもSiC中での拡散速度がかなり大きいp-型ドーパントを、前記孔によって定められたSiC層の領域中へ、工程3)を行うことにより形成された前記表面近辺層のドーピング型が維持されるような程度にインプラントし、 5) 前記表面近辺層(5)中の工程4)でインプラントしたp-型ドーパントが、僅かにn-ドープしたSiC層の周囲の領域中へ拡散するような温度に前記SiC層を加熱し、然も、p-型ドーパントが優勢なチャンネル領域層(7)が、前記高度にドープしたn-型表面近辺層の横に且つその層とSiC層の僅かにn-ドープした領域(8)との間に形成されるような程度まで加熱する、工程を有し、 然も、前記高度にドープしたn-型表面近辺層に最も近接した僅かにn-ドープした領域中のドーピングの型が、前記p-型ドーパントの拡散によりp-型に移行する程度まで、工程4)で前記p-型ドーパントをインプラントし、工程3)及び4)を、a)上記順序、及びb)最初に工程4)、次に工程3)のいずれかで行う、p-型チャンネル領域層形成方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 652 E ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 658 A ,  H01L 21/265 602 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 炭化けい素MOSFETの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-301439   出願人：富士電機株式会社
• 特開昭58-210678
  
• 特開昭58-210678