特許

J-GLOBAL ID：200903016756651179

化合物半導体単結晶の成長方法

発明者： 木村 俊憲 ,  小沢 章一 ,  菊田 俊夫
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-254837
公開番号（公開出願番号）：特開平6-107416
出願日： 1992年09月24日
公開日（公表日）： 1994年04月19日
要約：

【要約】【目的】本発明は、熱の流れに起因する温度変動を抑制して品質の高い化合物半導体単結晶を歩留りよく得ることができる化合物半導体単結晶の成長方法を提供することを目的とする。【構成】円筒容器に化合物半導体材料を装填し、前記円筒容器下部に種子結晶を配置し、前記化合物半導体材料を溶融し、溶融状態の化合物半導体材料を下方から徐々に冷却して単結晶を成長させる化合物半導体単結晶の成長方法において、前記種子結晶の周辺部に化合物半導体材料より高い熱伝導率を有する物質を配置して固液界面の形状が平坦もしくは水平面に対して上向きに凸状となるようにしながら成長を行なうことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

円筒容器に化合物半導体材料を装填し、前記円筒容器下部に種子結晶を配置し、前記化合物半導体材料を溶融し、溶融状態の化合物半導体材料を下方から徐々に冷却して単結晶を成長させる化合物半導体単結晶の成長方法において、前記種子結晶の周辺部に前記化合物半導体材料より高い熱伝導率を有する物質を配置して固液界面の形状が平坦もしくは水平面に対して上向きに凸状となるようにしながら成長を行なうことを特徴とする化合物半導体単結晶の成長方法。

IPC (4件)：

C01G 15/00 ,  C30B 11/00 ,  C30B 29/40 501 ,  H01L 21/208