特許
J-GLOBAL ID：200903016770441500

レジストパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
中島 嘉樹

中島 嘉樹 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (2件)： 上柳 雅誉 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-319742
公開番号（公開出願番号）：特開2008-135506
出願日： 2006年11月28日
公開日（公表日）： 2008年06月12日
要約：
【課題】露光量を厳密に制御せずとも、フォトレジストの膜厚精度を高く維持することのできるレジストパターンの形成方法を提供する。【解決手段】露光装置からの露光光を遮断する遮光領域61と、露光光を完全に透過させる透過領域62と、露光光を部分的に透過させる半透過領域63とを有するハーフトーンマスク60を通して、1光子吸収レジストであるフォトレジストP1に露光光を照射し、現像処理する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
露光光を遮断する遮光領域と、前記露光光を大部分透過させる透過領域と、前記露光光 を部分的に透過させる半透過領域とを有するフォトマスクを通して、光化学反応の発生確 率の高い光反応分子から構成されるフォトレジストに対して露光光を照射する工程と、前 記露光光が照射されたフォトレジストに対して現像処理を施す工程と、を含むことを特徴 とするレジストパターンの形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G02F 1/136 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (5件)：
H01L21/30 502Z ,  H01L21/30 502R ,  G03F1/08 A ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 616L
Fターム (37件)：
2H092GA11 ,  2H092JA24 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA46 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB51 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA30 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  2H092PA06 ,  2H095BB02 ,  2H095BB36 ,  2H095BC09 ,  5F046AA25 ,  5F046AA28 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ21 ,  5F110HM15 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ11
引用特許：
出願人引用 (1件)

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