特許

J-GLOBAL ID：200903016774423043

薄膜製造方法およびその製造装置ならびに薄膜トランジスタ

発明者： 石塚 芳樹 ,  松浦 由紀 ,  三橋 浩 ,  アシュラフ・ウディン
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-211149
公開番号（公開出願番号）：特開平10-055959
出願日： 1996年08月09日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】この発明は、ガラス基板に含まれている不純物が混じらないようガラス基板にポリシリコン膜を形成するとともにポリシリコンをチャネルに用いた薄膜トランジスタの特性を容易に設定可能な薄膜および薄膜トランジスタの製造方法を提供することにある。【解決手段】この発明は、ガラス基板に形成された水素化アモルファスシリコン膜に、ガラス基板側と水素化アモルファスシリコン膜側の双方から、ガラス基板側と水素化アモルファスシリコン膜側のそれぞれに異なるタイミングでレーザー光を照射することにより、ガラス基板の温度を概ね500°C以下に維持するように、レーザー光を照射してポリシリコンを形成するものである。また、ポリシリコンをチャネルに用いたTFTにおいて、ゲート電極の幅をチャネル領域の幅よりも狭くかつチャネル領域の幅方向の端部から所定の長さ取り除いて配置することで、TFTにおけるサブスレショルド特性を改善できる。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上に形成された水素化アモルファスシリコン膜にレーザー光を照射して水素化アモルファスシリコン膜中の水素を脱水素して薄膜を製造する方法において、ガラス基板の温度を概ね500°C以下に維持するレーザー光を照射することを特徴とする薄膜製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G