特許

J-GLOBAL ID：200903016776548609

量子細線デバイス及びその製造方法

発明者： 向井 幹雄
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-234816
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079357
出願日： 1996年09月05日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：

【要約】【課題】 シリコン基板上に量子細線構造を形成した量子細線デバイス及びその製造方法を提供する【解決手段】 本量子細線デバイス10は、シリコン基板12と、その上のCVD-SiO2 層14と、一面を露出させてSiO2 層内に埋め込まれた断面V字状のシリコン三角柱16の等間隔の配列からなるアレイ構造とから構成される。シリコン三角柱は、(100)面18Cを露出させ、相互に交差する2個の(111)面18A、Bを有する三角柱体である。一組のシリコン三角柱16A、B間のSiO2 層の上面で露出し、かつSiO2 層の上面の両側でシリコン三角柱16Aの一方の(111)面18B及びシリコン三角柱16Bの一方の(111)面18AとSiO2 膜14との間に介在して延在するように、熱酸化膜20が、形成され、研磨時のストッパとしての役割も果たしている。SiO2 層14は、シリコンからなる下地基板12との貼り合わせ層としても機能している。

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、シリコン基板上に形成された絶縁膜と、相互に交差する2個の(111)面を有する断面V字状の単結晶シリコン製三角柱体として、三角柱体の(100)面を露出させ、相互に平行に同じ間隔で離隔して絶縁膜内に埋め込まれた複数本のシリコン三角柱の配列からなるアレイ構造と、アレイ構造のシリコン三角柱の隣合う2本を一組とし、一組のシリコン三角柱間の絶縁膜の上面で露出し、かつ絶縁膜の上面の両側でシリコン三角柱の(111)面の一方と絶縁膜との間に介在するように延在する熱酸化膜とを備えていることを特徴とする量子細線デバイス。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/28 301 A ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/88 P