炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-113833
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307545
出願日： 1998年04月23日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】炭化珪素半導体にイオン注入によって不純物層を形成するに際し、拡散係数が高くでき、かつ活性化率ができるようにする。【解決手段】炭化珪素半導体基板50に対して、所望の不純物濃度よりも低い不純物濃度となる低濃度イオン注入を行ったあと、熱処理温度にて、低濃度イオン注入によって注入されたイオン種を活性化させるという工程を繰り返し行うことによって所望の濃度を有する不純物層51(例えば、ベース領域)を形成する。このように、低濃度のイオン注入を行ったのち、熱処理を行うと、一度に高濃度のイオン注入を行って不純物層を形成する場合に比して、注入されたイオン種が拡散するときの拡散係数を高くすることができ、さらにイオン種の活性化率を高くすることができる。

請求項（抜粋）：

炭化珪素からなる半導体層にイオン注入することで、所望の不純物濃度を有する不純物層を形成してなる炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記所望の不純物濃度よりも低い不純物濃度となる低濃度イオン注入を行う工程と、熱処理温度にて、前記低濃度イオン注入によって注入されたイオン種を活性化させる熱処理工程とを有し、前記低濃度イオン注入工程と前記熱処理工程とを繰り返し行うことによって前記所望の濃度を有する不純物層を形成することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 , H01L 21/265 , H01L 29/16 , H01L 29/78

FI (6件)：

H01L 29/78 658 A , H01L 21/265 F , H01L 21/265 Z , H01L 29/16 , H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 652 C

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