特許
J-GLOBAL ID：200903016777618554
超硬合金基板とダイヤモンド膜との間の接着性改善方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-077989
公開番号（公開出願番号）：特開平6-322543
出願日： 1994年03月24日
公開日（公表日）： 1994年11月22日
要約：
【要約】【目的】 超硬合金物質と結合金属とからなる超硬合金基板とこの基板に気相蒸着により成膜されたダイヤモンド膜との間の接着性を改善する。【構成】 ダイヤモンド膜をCVDにより成膜するため種々の形態で通常利用される装置を利用する。その際処理パラメータは、通常のダイヤモンド成膜に対して、基板表面における予め解離した水素ガスの再結合から生ずる反応熱を利用して、結合金属が基板表面の非常に狭い縁部から気化するように、変更される。
請求項（抜粋）：
超硬合金物質と結合金属とからなる超硬合金基板とこの基板上に気相蒸着により成膜されるダイヤモンド膜との間の接着性を、ダイヤモンド成膜に先立って超硬合金表面から結合金属を除去することにより改善する方法において、結合金属を除去するために、炭素を含むガス及び反応位置で解離する水素を介してダイヤモンド膜を成膜するために通常利用されるものと同様な装置を使用し、基板の内部温度をダイヤモンド成膜した基板の特定目的の使用に影響する内部物質変化が起きる上限温度以下に設定し、解離された水素の存在している基板表面における条件を、基板の表面近くの領域から結合金属の熱による気化が起こるような条件に選び、結合金属の気化とともに同時に基板の表面近くの領域に残っている超硬合金物質を再結晶させかつ基板表面をこれによりその構造を変え粗面化することを特徴とする超硬合金基板とダイヤモンド膜との間の接着性改善方法。
IPC (2件)：
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