半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-179502
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038110
出願日： 1993年07月21日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】本発明は同一基板上に低リーク電流の非晶質シリコンTFTと高移動度の多結晶シリコンTFTを簡単に作製する方法を提供することを目的とする。【構成】 5×1020atoms/cm3 以下の低水素濃度の非晶質シリコンを堆積させて、非晶質シリコン膜の一部をビームアニールにより結晶化させて多結晶シリコン膜を形成する。ビームアニールされない非晶質シリコン膜には水素化を行い、ダングリングボンドの少ない非晶質シリコン膜を形成する。【効果】同一基板上に非晶質シリコンTFTと多結晶シリコンTFTを簡単に作製できる。

請求項（抜粋）：

同一基板上に形成される非晶質シリコン薄膜から活性層が夫々形成される非晶質シリコン薄膜トランジスタと多結晶シリコン薄膜トランジスタを混在して成る半導体装置の製造方法において、水素濃度5×1020atoms/cm3 以下の非晶質シリコン膜を前記基板上に堆積して前記非晶質シリコン薄膜トランジスタの活性層を形成する工程と、その後前記非晶質シリコン膜のうち前記非晶質シリコン薄膜トランジスタの活性層とは異なる非晶質シリコン膜にビームアニールを行って多結晶シリコンに変え前記多結晶シリコン薄膜トランジスタの活性層を形成する工程と、その後前記非晶質シリコン薄膜トランジスタの活性層を水素化する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500 , H01L 21/20 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 C , H01L 29/78 311 Y

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-208635
薄膜半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-218690 出願人：株式会社日立製作所
特開平1-202823

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