特許

J-GLOBAL ID：200903016786229510

p型AlGaN系半導体の製造方法

発明者： 渡部 信一 ,  岡川 広明 ,  只友 一行
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
代理人 (1件)： 藤本 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-163217
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008460
出願日： 1994年06月22日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】 アニーリング処理や電子線処理の必要なく低抵抗のp型GaN系半導体を形成できて、その製造効率に優れる方法を得ること。【構成】 サファイア又は窒化ガリウムからなる基板(1)上に、n型GaN系半導体層(2)を介して、p型不純物をドープした、一般式:Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(ただし、0<x<1)で表されるAlGaN系半導体層(4)を気相成長させたのち、その上にn型半導体層(5)を気相成長させた状態で冷却するp型AlGaN系半導体の製造方法。【効果】 GaN系半導体層の気相成長によるas-grownの状態で低抵抗のp型AlGaN系半導体を形成でき、基板上にGaN系のp-n接合を一連の操作で形成できる。

請求項（抜粋）：

サファイア又は窒化ガリウムからなる基板上に、n型GaN系半導体層を介して、p型不純物をドープした、一般式:Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(ただし、0<x<1)で表されるAlGaN系半導体層を気相成長させたのち、その上にn型半導体層を気相成長させた状態で冷却することを特徴とするp型AlGaN系半導体の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18