特許
J-GLOBAL ID:200903016786943930

半導体バーの通電装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-370007
公開番号(公開出願番号):特開2005-134224
出願日: 2003年10月30日
公開日(公表日): 2005年05月26日
要約:
【課題】 本発明の目的は、半導体バーに対して、一度に、複数の半導体チップの個々の表面電極と個別に接触することができ、かつ、半導体チップに過大な機械的ストレスを与えることなく確実で安定した接触が得られる上部電極を具備した半導体バーの通電装置を提供することである。 【解決手段】 本発明の通電装置101は、主に、テスタに末端を接続された上部電極としての弾性を有する絶縁性フィルム102上に形成した金属膜で成る電極パターン103と、上部電極102,103を上から半導体レーザバー4に一定の圧力で押し付ける剛性を有するパッド104と、半導体レーザバー4の裏面を真空吸着するともに半導体レーザチップ3の裏面電極と当接して導通する下部電極5と、レーザ光を受光する受光素子部(図示せず)とで構成されている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
表裏面にそれぞれ電極を有する多数の半導体チップがバー状に繋がった半導体バーに通電する通電装置であって、前記半導体チップのすべての裏面電極に共通に当接して導通する下部電極と、前記半導体チップの個々の表面電極と個別に当接して導通する上部電極とを備え、前記下部電極と前記上部電極との間に前記半導体バーを挟み込み通電する半導体バーの通電装置において、前記上部電極は、弾性を有する絶縁性フィルム上に形成した複数の前記半導体チップの個々の表面電極に個別に対応した金属膜で成る電極パターンであることを特徴とする半導体バーの通電装置。
IPC (2件):
G01R31/26 ,  H01S5/00
FI (3件):
G01R31/26 J ,  G01R31/26 E ,  H01S5/00
Fターム (8件):
2G003AA06 ,  2G003AG03 ,  2G003AG12 ,  2G003AH04 ,  2G003AH05 ,  2G003AH06 ,  5F073HA03 ,  5F073HA12
引用特許:
出願人引用 (1件)

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