特許

J-GLOBAL ID：200903016787325598

磁性薄膜メモリおよびその記録再生駆動方法

発明者： 西村 直樹
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-160893
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354728
出願日： 1998年06月09日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】 高い集積度の不揮発固体メモリを提供する。【解決手段】 低い保磁力を有する第1磁性層と、高い保磁力を有する第2磁性層が、非磁性層を介して積層され、該第1磁性層の磁化の向きと該第2磁性層の磁化の向きの相対角度によって異なる抵抗値を示す磁気抵抗膜と、該磁気抵抗膜近傍に設けらた良導体からなる書込み線とを有する磁性薄膜メモリ素子が、基板上に少なくとも2個以上積層して配列してなることを特徴とする磁性薄膜メモリの提供。

請求項（抜粋）：

低い保磁力を有する第1磁性層と、高い保磁力を有する第2磁性層が、非磁性層を介して積層され、該第1磁性層の磁化の向きと該第2磁性層の磁化の向きの相対角度によって異なる抵抗値を示す磁気抵抗膜と、該磁気抵抗膜近傍に設けらた良導体からなる書込み線とを有する磁性薄膜メモリ素子が、基板上に少なくとも2個以上積層して配列してなることを特徴とする磁性薄膜メモリ。

IPC (3件)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z