特許
J-GLOBAL ID：200903016792498018
電位制御による化学独立栄養細菌の培養方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萼 経夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-205256
公開番号（公開出願番号）：特開平9-028372
出願日： 1995年07月19日
公開日（公表日）： 1997年02月04日
要約：
【要約】【課題】化学独立栄養細菌に電気エネルギーを直接または間接的に供給でき、増殖促進が可能である培養系の提供。【解決手段】化学独立栄養細菌(鉄酸化菌等)の培養を電子供与体含有培地中に前記細菌の増殖に適した範囲の電位を印加して行う培養法。鉄酸化細菌〔例,チオバチルス・フェロオキシダンス(Thiobacillus ferrooxidans) 〕の培養をFe2+含有培地中に0.5〜-0.4V vs.Ag/AgClまたは-0.4〜-1.0V vs.Ag/AgClの電位を印加して行う培養法。化学独立栄養細菌(硫黄酸化菌,脱窒菌等)の培養を電子供与体含有培地中に前記細菌の増殖に適した範囲の電位を印加して行い、培地に加えられた電気エネルギーを前記細菌の生体エネルギーとして直接利用させる培養法。
請求項（抜粋）：
化学独立栄養細菌の培養を該細菌の電子供与体を含有する培地中に前記細菌の増殖に適した範囲の電位を印加して行うことを特徴とする化学独立栄養細菌の培養方法。
IPC (3件)：
C12N 1/20
, C12N 13/00
, C12R 1:01
