特許

J-GLOBAL ID：200903016792834271

非晶質半導体太陽電池の製造方法

発明者： 袋井 武夫 ,  大村 啓 ,  田多 渉一 ,  吉田 伸一郎 ,  鍋島 寛治
出願人/特許権者： 吉田工業株式会社
代理人 (1件)： 米原 正章 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-222413
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048132
出願日： 1991年08月08日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 非晶質半導体太陽電池の製造において、低コストで高精度の透明導電膜、非晶質半導体膜及び金属電極膜のパターニングをそれぞれ選択的に行う。【構成】 各薄膜形成後に、各薄膜に要求されるパターンに応じて、加える工具刃先の荷重を、ダイヤモンド製の刃を有する工具の場合、透明導電膜12について50〜300g、非晶質半導体膜13について40〜500g、金属電極膜14について40〜500g、超硬合金製の刃を有する工具の場合、透明導電膜について40〜400g、非晶質半導体膜について20〜300g、金属電極膜について40〜200gに各々設定し、上記範囲の一定の荷重を加えながらそれぞれの薄膜を溝状にスクライブする。非晶質半導体膜及び金属電極膜を同時に溝状にスクライブする場合、ダイヤモンド製の刃を有する工具の場合300〜800g、超硬合金製の刃を有する工具の場合100〜400gの範囲の一定の荷重を加えながら行う。

請求項（抜粋）：

同一絶縁基板上で、非晶質半導体太陽電池を直列接続させるために、透明導電膜、非晶質半導体膜又は金属電極膜を形成した後に、それぞれの薄膜に要求されるパターンに応じて、縁切りが必要な箇所を先端にダイヤモンド又は超硬合金製の刃を有する工具でそれぞれの薄膜を溝状にスクライブするに際して、それぞれの薄膜に加える工具刃先の荷重を、ダイヤモンド製の刃を有する工具の場合、透明導電膜について50〜300g、非晶質半導体膜において40〜500g、金属電極膜について40〜500g、超硬合金製の刃を有する工具の場合、透明導電膜について40〜400g、非晶質半導体膜について20〜300g、金属電極膜について40〜200gに各々設定し、上記範囲の一定の荷重を加えながらそれぞれの薄膜を溝状に除去することを特徴とする非晶質半導体太陽電池の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/304 301