特許

J-GLOBAL ID：200903016799440562

露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法

発明者： 村上 栄一
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 哲也 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-093449
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284210
出願日： 2000年03月30日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】 短波長の露光光を用いて高解像度の半導体デバイスを効率的に製造する。【解決手段】 露光光軸の少なくとも一部を含み所定の雰囲気で密閉された筐体と、光学系を有する検出系とを備え、検出系のうちの一部は筐体で囲まれた第1空間に設けられ、検出系のうちの他の一部は筐体の外部である第2空間に設けられる。

請求項（抜粋）：

原版のパターンを基板に露光するための露光装置において、露光光軸の少なくとも一部を含み、所定の雰囲気で密閉された筐体と、光学系を有する検出系とを備え、該検出系のうちの一部は該筐体で囲まれた第1空間に設けられ、該検出系のうちの他の一部は該筐体の外部である第2空間に設けられることを特徴とする露光装置。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 521

FI (5件)：

G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 526 B ,  H01L 21/30 502 G ,  H01L 21/30 516 F

Fターム (16件)：

2H097BA02 ,  2H097GB01 ,  2H097LA10 ,  5F046AA22 ,  5F046AA28 ,  5F046BA04 ,  5F046CA03 ,  5F046CB24 ,  5F046CC16 ,  5F046DA14 ,  5F046DA27 ,  5F046DB11 ,  5F046DC12 ,  5F046FA03 ,  5F046FA10 ,  5F046FB03