特許
J-GLOBAL ID：200903016811555818
真空バルブ用接点の製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-258808
公開番号（公開出願番号）：特開平5-101752
出願日： 1991年10月07日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 再点弧の発生頻度を著しく低減することがてきる真空バルブ用接点合金の製造方法を得る。【構成】 空隙率が35〜55容量%の第1のCrスケルトンと、空隙率が25〜65容量%の第2のCrスケルトンと、脱ガス処理を行ったCu溶浸材とを、第1のスケルトン・第2のスケルトン・Cu溶浸材又はCu溶浸材・第1のスケルトン・第2のスケルトン又は第1のスケルトン・Cu溶浸材・第2のスケルトンのいずれかの順で重ね合せ、この第1又は第2のCrスケルトンが有する空隙中にCu溶浸材を溶浸させると共に界面には厚さが少なくとも1μmのCu溶浸材の境界層を設けるようにして真空バルブ用接点合金を製造する。
請求項（抜粋）：
空隙率が35〜55容量%(以下 vol%)のCrスケルトンIを作る第1の工程と、空隙率が25〜65 vol%のCrスケルトンIIを作る第2の工程と、充分脱ガス処理をしたCuよりなる溶浸材Aを準備する第3の工程と、前記CrスケルトンI,IIと溶浸材AとをI・II・A又はA・I・II又はI・A・IIのいずれかの順に重ね合せる第4の工程と、前記CrスケルトンI及びIIの有する空隙中に溶浸材Aを溶浸すると共に前記スケルトンIとIIとの界面に厚さが少なくとも1μmの溶浸材Aのリッチな境界層を得る第5の工程とからなることを特徴とする真空バルブ用接点の製造方法。
IPC (4件)：
H01H 33/66
, C22C 1/00
, C22C 5/06
, C22C 9/00
