特許

J-GLOBAL ID：200903016827259860

半導体装置およびその作製方法

発明者： 須沢 英臣 ,  楠山 義弘
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-090797
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349300
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の作製方法において、材料及び膜厚の異なる積層膜(無機絶縁膜と有機樹脂膜の積層膜)を同時に一回のエッチングによりコンタクトホールを開口することで、工程数を低減させることを課題とする。【解決手段】 ドライエッチングにおける選択比(有機樹脂膜503のエッチングレート/窒素を含む無機絶縁膜502のエッチングレート)を1.6〜2.9、好ましくは、1.9とすることにより、開口する膜の材料及び膜厚が異なっていても、形成されるコンタクトホールの形状及び大きさの両方がほぼ同じように開口できる

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に形成された第1の導電膜と、前記第1の導電膜を覆う無機絶縁膜と、前記無機絶縁膜を覆う有機樹脂膜と、前記無機絶縁膜及び前記有機樹脂膜を貫くコンタクトホールと、前記有機樹脂膜上に形成された第2の導電膜が、前記コンタクトホールの底面で前記第1の導電膜と接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3205

FI (6件)：

H01L 29/78 616 J ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/302 M ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/88 S ,  H01L 29/78 619 A

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平2-111054
  
• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-205378   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社

審査官引用 (2件)

• 特開平2-111054
  
• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-205378   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社