特許

J-GLOBAL ID：200903016828187138

ナノスケール微粒子の2次薄膜集積法

発明者： 永山 国昭 ,  足立 栄希
出願人/特許権者： 新技術事業団
代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-242237
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092617
出願日： 1995年09月20日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】 LB法のように展開用分子を必要とすることなく、直接的に固体基板上にナノスケール微粒子の集積薄膜を形成する。【解決手段】 イオン強度の制御によって電解質液膜中の荷電粒子に対するポテンシャルエネルギーを2次極小化してナノスケールの2次薄膜を形成し、これにナノスケール微粒子を閉じ込めて集積する。

請求項（抜粋）：

イオン強度の制御によって電解質液膜中の荷電微粒子に対するポテンシャルエネルギーを2次極小としてナノスケールの2次薄膜を形成し、この2次薄膜中にナノスケール微粒子を閉じ込めて集積することを特徴とするナノスケール微粒子の2次薄膜集積法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  B01J 19/00 ,  H01L 21/368 ,  H01L 51/00 ,  H01L 49/00

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  B01J 19/00 M ,  H01L 21/368 L ,  H01L 49/00 ,  H01L 29/28