化合物半導体装置および通信装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-028085
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228371
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】 Inが含まれる化合物半導体に対する従来技術の Au/Mo/Ni/ Au-Ge合金からなる4層構造のオーミック電極は、アニール温度が300°Cから400°Cまで上昇する間にコンタクト抵抗が10倍以上増大する。また350°C以上のアニールによってアロイ層が所定の電極パターンから横方向にはみ出した形で形成される。【解決手段】従来技術電極の Au-Ge合金層とNi層との間にW層を設ける。W層の膜厚は5nm〜20nmの範囲にあることが望ましい。【効果】耐熱環境性に優れた化合物半導体装置及び通信装置を実現できる。

請求項（抜粋）：

Inが含まれる化合物半導体に対するオーミック電極を有する化合物半導体装置において、上記オーミック電極は上記化合物半導体の側からAu-Ge合金層、W層、Ni層、Mo層および1層以上の低抵抗金属層がこの順序で積層された構造を有していることを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/28 301 , H01L 29/205 , H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01S 5/042 610

FI (4件)：

H01L 21/28 301 H , H01S 3/18 624 , H01L 29/205 , H01L 29/72

Fターム (50件)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104BB05 , 4M104BB09 , 4M104BB10 , 4M104BB13 , 4M104BB15 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104BB28 , 4M104CC01 , 4M104DD34 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104DD68 , 4M104DD79 , 4M104EE09 , 4M104FF03 , 4M104FF17 , 4M104GG04 , 4M104GG06 , 4M104GG09 , 4M104GG12 , 4M104HH15 , 5F003BA11 , 5F003BA92 , 5F003BF03 , 5F003BF06 , 5F003BG03 , 5F003BH07 , 5F003BH08 , 5F003BH18 , 5F003BH99 , 5F003BJ12 , 5F003BJ16 , 5F003BJ96 , 5F003BJ99 , 5F003BM03 , 5F003BN06 , 5F003BP11 , 5F003BP12 , 5F003BP32 , 5F003BP42 , 5F003BP93 , 5F073AA74 , 5F073BA02 , 5F073CA12 , 5F073CB03 , 5F073CB22 , 5F073EA28

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