特許
J-GLOBAL ID：200903016842895323
化合物半導体積層体形成法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-240026
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069143
出願日： 1992年08月17日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 ヘテロ接合型バイポーラトランジスタを製造する際の半導体積層体形成方法を提供。【構成】 化合物半導体基板上に、炭素をp型不純物として導入しているp型半導体層を有する第1の化合物半導体積層体を、熱分解気相エピタキシャル成長法によって形成し、次に、上記第1の化合物半導体積層体に対する熱処理を施し、次に、上記第1の化合物半導体積層体上に、第2の化合物半導体積層体を、熱分解気相エピタキシャル成長法によって形成する工程を有する化合物半導体積層体形成法において、上記熱処理を、その熱処理時に熱分解によって水素原子が生ずるような分子を実質的に含まない雰囲気中で行う。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板上に、炭素をp型不純物として導入しているp型化合物半導体層を有する第1の化合物半導体積層体を、第1の熱分解気相エピタキシャル成長法によって形成する工程と、上記第1の化合物半導体積層体を形成する工程後、上記第1の化合物半導体積層体に対し、熱処理を施す工程と、上記第1の化合物半導体積層体に対する熱処理の工程後、上記第1の化合物半導体積層体上に、第2の化合物半導体積層体を、第2の熱分解気相エピタキシャル成長法によって形成する工程とを有する化合物半導体積層体形成法において、上記第1の化合物半導体積層体に対する熱処理の工程における熱処理を、その熱処理時に熱分解によって水素原子が生ずるような分子を実質的に含まない雰囲気中、または上記分子を含んでいるとしても、上記第1の化合物半導体積層体を形成する工程において上記p型化合物半導体層を形成するときに用いるp型化合物半導体層形成用原料ガスが熱分解によって水素原子が生ずるような分子を含んでいるとした場合の、その分子に比し低い分圧でしか含んでいない雰囲気中で行うことを特徴とする化合物半導体積層体形成法。
IPC (6件)：
H01L 21/205
, H01L 21/223
, H01L 21/324
, H01L 29/205
, H01L 21/331
, H01L 29/73
