特許

J-GLOBAL ID：200903016843202151

半導体素子の放熱装置

発明者： 萩原 實 ,  寺島 孝文
出願人/特許権者： 大成ラミネーター株式会社 ,  コムアイランドコマース株式会社
代理人 (1件)： 松村 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-126033
公開番号（公開出願番号）：特開2005-311079
出願日： 2004年04月21日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：

【課題】 実装基板11上に実装されかつその上にヒートシンク14を取付けたCPU13の放熱性能を改善する。 【解決手段】 実装基板11上に実装されるとともに、その上にヒートシンク14を取付けて半導体素子13が発生する熱を放熱するようにした半導体素子の放熱装置において、上記半導体素子13の上面とヒートシンク14の下面との間、あるいは上記半導体素子13と接していないヒートシンク14の外表面の所定の部位に、ほぼ十字状のカーボングラファイトシート18を介装し、あるいは接合し、外側部側に側方に突出するように形成されている短冊状の4つの突出片19を上記ヒートシンク14に対してその側方に位置するように斜めに折曲げる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板に実装された半導体素子上にヒートシンクを取付けて放熱するようにした半導体素子の放熱装置において、 前記半導体素子と前記ヒートシングとの間または前記ヒートシンクの外表面にカーボングラファイトシートを介装または接合することを特徴とする半導体素子の放熱装置。

IPC (1件)：

H01L23/36

FI (1件)：

H01L23/36 D

Fターム (7件)：

5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB01 ,  5F036BB05 ,  5F036BB21 ,  5F036BC05 ,  5F036BD11

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 冷却構造、これを用いた携帯型電子機器及び冷却構造形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-338576   出願人：三菱電機株式会社