特許
J-GLOBAL ID：200903016844712102
半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊田 善雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-319416
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162720
出願日： 1994年11月30日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】【目的】 安価で、高速変調が可能な半導体レーザ装置、特に短波長の半導体レーザ装置を提供する。【構成】 電子放出素子21と、ストライプ状半導体レーザ構造体25と、電子放出素子21から放出された電子をストライプ状半導体レーザ構造体25に収束させるための電子レンズ系23とを具備する半導体レーザ装置であって、電子放出素子21が表面伝導型電子放出素子であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
少なくとも、電子放出素子と、ストライプ状半導体レーザ構造体と、前記電子放出素子から放出された電子を、前記ストライプ状半導体レーザ構造体に入射させるための電子光学系とを備えた半導体レーザ装置であって、前記電子放出素子が表面伝導型電子放出素子であることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01J 1/30
, H01S 3/0959
