特許
J-GLOBAL ID:200903016845279097

冷却処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-200706
公開番号(公開出願番号):特開2008-028235
出願日: 2006年07月24日
公開日(公表日): 2008年02月07日
要約:
【課題】基板間で金属汚染物やパーティクルが転写するのを防止することができる冷却処理装置を提供する。【解決手段】冷却水供給源15からの冷却水供給によって所定温度に維持されている底部冷却プレート10の上に石英よりも放射率および熱伝導率が大きなセラミックスにて形成された第1セラミックス板20が載置されている。第1セラミックス板20の上面には支持部材50が3箇所以上突設されている。加熱後の半導体ウェハーWを受け取った突き上げピン31が下降して第1セラミックス板20の貫通孔内に埋入することにより、該半導体ウェハーWは支持部材50によって第1セラミックス板20に近接されて点接触にて支持されて冷却される。半導体ウェハーWは、支持部材50によって点接触にて支持されるため、半導体ウェハーW間で金属汚染物等が転写するのを防止することができる。【選択図】図3
請求項(抜粋):
加熱後の基板に冷却処理を行う冷却処理装置であって、 冷却機構によって所定温度に維持される底部冷却プレートと、 前記底部冷却プレート上に載置され、石英よりも放射率および熱伝導率が大きい第1セラミックス板と、 前記第1セラミックス板の上面の少なくとも3箇所に突設され、基板を前記第1セラミックス板に近接させて点接触にて支持する支持部材と、 を備えることを特徴とする冷却処理装置。
IPC (1件):
H01L 21/26
FI (2件):
H01L21/26 Q ,  H01L21/26 G
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 熱処理装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2003-111558   出願人:大日本スクリーン製造株式会社

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