特許

J-GLOBAL ID：200903016845821720

プラズマ処理方法及び装置

発明者： 奥村 智洋 ,  齋藤 光央
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (2件)： 河宮 治 ,  和田 充夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-000379
公開番号（公開出願番号）：特開2004-253785
出願日： 2004年01月05日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：

【課題】 一様な処理を行うことが可能なプラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】 被処理物17の近傍に配置されたプラズマ源19にガスを供給しつつ、上記プラズマ源に設けられた電極又は上記被処理物に電力を供給することによりプラズマを発生させ、このプラズマによって生成された活性粒子を上記被処理物の一部位に作用させ、上記被処理物を加工するプラズマ処理を行うプラズマ処理方法であって、上記プラズマの発光強度をモニタリングして上記被処理物の加工処理の終点検出を行う。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

被処理物の近傍に配置されたプラズマ源にガスを供給しつつ、上記プラズマ源に設けられた電極又は上記被処理物に電力を供給することによりプラズマを発生させ、このプラズマによって生成された活性粒子を上記被処理物の一部位に作用させ、上記被処理物を加工するプラズマ処理を行うプラズマ処理方法であって、 上記プラズマの発光強度をモニタリングして上記被処理物の加工処理の終点検出を行うプラズマ処理方法。

IPC (1件)：

H01L21/3065

FI (1件)：

H01L21/302 103

Fターム (4件)：

5F004BA20 ,  5F004BB24 ,  5F004CB05 ,  5F004CB09

引用特許：

出願人引用 (1件)

• プラズマ表面処理装置及びプラズマ表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-133591   出願人：積水化学工業株式会社

審査官引用 (4件)

• プラズマエッチング装置の制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-284206   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 特開平1-302820
  
• エッチング終点検出方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-271328   出願人：富士通株式会社
• プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-277359   出願人：シャープ株式会社