特許

J-GLOBAL ID：200903016851824897

積層セラミック素子の製造方法

発明者： 井上 正良 ,  七尾 勝
出願人/特許権者： TDK株式会社
代理人 (1件)： 木森 有平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-334393
公開番号（公開出願番号）：特開2008-147497
出願日： 2006年12月12日
公開日（公表日）： 2008年06月26日
要約：

【課題】 卑金属内部電極層の酸化の防止、バインダの十分な分解、内部電極層の溶出の防止等を達成した上で、脱脂工程に要する時間を大幅に削減する。【解決手段】 セラミック層の原料を含むセラミック前駆体層と内部電極層の原料である卑金属を含む内部電極前駆体層とを交互に積層した積層体を焼成する積層セラミック素子の製造方法である。焼成前に積層体に含まれるバインダを分解除去する脱脂工程を有する。脱脂工程は、少なくとも300°C〜400°Cの間の温度域において、不活性ガスと酸素ガスを含み酸素ガス分圧が5×10-4Pa〜2×104Paである第1の雰囲気ガスを導入して加熱処理する第1の脱脂処理と、不活性ガスと水蒸気を含む第2の雰囲気ガスを導入し、水蒸気の解離によって生じた酸素を含む雰囲気下、第1の脱脂処理よりも高い温度で加熱処理する第2の脱脂処理とを含む。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

セラミック層の原料を含むセラミック前駆体層と内部電極層の原料である卑金属を含む内部電極前駆体層とを交互に積層した積層体を焼成する積層セラミック素子の製造方法であって、 前記焼成前に前記積層体に含まれるバインダを分解除去する脱脂工程を有し、 前記脱脂工程は、少なくとも300°C〜400°Cの間の温度域において、不活性ガスと酸素ガスを含み酸素ガス分圧が5×10-4Pa〜2×104Paである第1の雰囲気ガスを導入して加熱処理する第1の脱脂処理と、 不活性ガスと水蒸気を含む第2の雰囲気ガスを導入し、前記水蒸気の解離によって生じた酸素を含む雰囲気下、第1の脱脂処理よりも高い温度で加熱処理する第2の脱脂処理とを含むことを特徴とする積層セラミック素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01G 4/12 ,  H01G 4/30

FI (2件)：

H01G4/12 364 ,  H01G4/30 311Z

Fターム (9件)：

5E001AB03 ,  5E001AH08 ,  5E001AH09 ,  5E082AB03 ,  5E082FG06 ,  5E082FG26 ,  5E082LL01 ,  5E082PP06 ,  5E082PP07

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 圧電構造素子
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-545341   出願人：エプコスアクチエンゲゼルシャフト
• 積層セラミック素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-092817   出願人：TDK株式会社