特許

J-GLOBAL ID：200903016852848234

微細パターンの形成方法

発明者： 中島 滋 ,  長谷部 一秀 ,  周 保華 ,  岩下 光秋 ,  新納 礼二
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-149271
公開番号（公開出願番号）：特開2009-016814
出願日： 2008年06月06日
公開日（公表日）： 2009年01月22日
要約：

【課題】 解像限界以下の幅を持つ微細パターンを、少ない製造工程で形成できる微細パターンの形成方法を提供すること。【解決手段】 基板101上に、薄膜102を形成し、薄膜102上に、レジスト膜103を形成し、レジスト膜103を、フォトリソグラフィ技術を用いて、所定の間隔を持つパターン103 ́に加工し、有機シリコンを含むソースガスと活性化された酸素種とを交互に供給し、加工されたレジスト膜103 ́、及び薄膜102上に、薄膜102及びレジスト膜103 ́とは異なったシリコン酸化膜105を形成し、シリコン酸化膜105を後退させ、加工されたレジスト膜103 ́の側壁上に側壁スペーサ105 ́を形成し、加工されたレジスト膜103 ́を除去し、側壁スペーサ105 ́をマスクに用いて、薄膜102を加工する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板上に、薄膜を形成する工程と、 前記薄膜上に、レジスト膜を最上層に設けた多層膜を形成する工程と、 前記多層膜を、フォトリソグラフィ技術を用いて、所定の間隔を持つパターンに加工する工程と、 有機シリコンを含むソースガスと活性化された酸素種とを交互に供給し、前記加工された多層膜、及び前記薄膜上に、前記薄膜及び前記多層膜とは異なったシリコン酸化膜を形成する工程と、 前記シリコン酸化膜を後退させ、前記加工された多層膜の側壁上に側壁スペーサを形成する工程と、 前記加工された多層膜を除去する工程と、 前記側壁スペーサをマスクに用いて、前記薄膜を加工する工程と、 を具備することを特徴とする微細パターンの形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/321

FI (4件)：

H01L21/302 105A ,  H01L21/30 514Z ,  H01L21/31 C ,  H01L21/88 C

Fターム (35件)：

5F004DB02 ,  5F004EA03 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F004EA12 ,  5F004EA23 ,  5F004EA27 ,  5F004EA38 ,  5F004EB02 ,  5F033HH04 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS03 ,  5F033SS11 ,  5F033VV06 ,  5F033XX03 ,  5F033XX04 ,  5F045AA15 ,  5F045AA16 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045EE14 ,  5F045EE19 ,  5F045EH18 ,  5F046LA19 ,  5F046LB10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• エッチングマスク及び微細パターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-347056   出願人：三洋電機株式会社