特許
J-GLOBAL ID：200903016864196259
エッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-194660
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036492
出願日： 1988年12月30日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：
【要約】【課題】 MOS装置のゲート酸化膜の成長に適した表面を得られるように、プリゲート薄膜を除去するためのエッチング方法を提供すること【解決手段】 このエッチング方法は、プリゲート薄膜を第1の電力レベルでプラズマエッチングする工程と、プリゲート薄膜をさらに、第1の電力レベルよりも低い第2の電力レベルで、プラズマエッチングする工程とを含む。
請求項（抜粋）：
金属-酸化物-半導体(MOS)のプリゲート薄膜をエッチングする方法であって、前記プリゲート薄膜を、第1の電力レベルでプラズマエッチングする工程と、前記プリゲートをさらに、前記第1の電力レベルでのプラズマエッチングと同じエッチングガスを用いて、前記第1の電力レベルよりも低い第2の電力レベルでプラズマエッチングする工程とを備えることを特徴とする、金属-酸化物-半導体のプリゲート薄膜をエッチングする方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 21/302 J
, H01L 29/78 371
