特許
J-GLOBAL ID：200903016865326792
半導体レーザ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-141352
公開番号（公開出願番号）：特開平7-162094
出願日： 1994年06月23日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】 各成長層間の界面から発生する欠陥を最小化することができる半導体レーザ及びその製造方法を提供すること。【構成】 本発明は、第1導電型の半導体基板上に第1導電型のバッファ層を形成するステップと、バッファ層上に第1導電型の第1クラッド層を形成するステップと、第1クラッド層上に活性層を形成するステップと、活性層上に第2導電型の第1クラッド層、エッチング阻止層、第2導電型の第2クラッド層、第2導電型の電流注入層、第2導電型の第1及び第2蒸発防止層を成長させ、第2クラッド層を形成するステップと、第2クラッド層をエッチングしてメサ型リッジ部を形成するステップと、第1導電型の電流遮断層を露出された第2クラッド層上に形成するステップと、メサ型リッジ部上の電流遮断層をエッチングして電流注入領域を形成し、電流注入領域の第2蒸発防止層を露出させるステップと、露出された第2蒸発防止層をエッチングしてその下部の第1蒸発防止層を露出させるステップと、基板全面に第2導電型のキャップ層を形成するステップとを含む。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、半導体基板上に形成された第1導電型バッファ層と、バッファ層上に形成された第1導電型の第1クラッド層と、第1クラッド層上に形成された活性層と、その上部に電流注入領域が形成されたメサ型リッジ部を有し、前記活性層上に形成された第2導電型の第2クラッド層と、電流注入領域を除いた第2クラッド層上に形成された第1導電型の電流遮断層と、前記電流注入領域を覆うように電流遮断層上に形成された第2導電型のキャップ層とを含むことを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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