特許
J-GLOBAL ID:200903016865522320

混成集積回路実装基板及びその部品実装方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐藤 成示 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-089344
公開番号(公開出願番号):特開平7-297363
出願日: 1994年04月27日
公開日(公表日): 1995年11月10日
要約:
【要約】【目的】 ボンディング不良を低減し歩留り及び信頼性向上を図る。【構成】 絶縁基板1上にヒートシンク11を介してパワー半導体装置8を実装した混成集積回路実装基板において、絶縁層3上の回路パターン4が上層基板5の欠落部5bから一部露出し、上層基板5に形成された開口部5aにヒートシンク11が挿入されて開口部5aの底部の回路パターン4と接合されると共に、欠落部5bから露出した回路パターン4または上層基板5上の回路パターン6とパワー半導体装置8がアルミ線10にて接続されている。【効果】 ヒートシンク11の移動、回転を所定量に抑えることができる。
請求項(抜粋):
良熱伝導性基板上に絶縁層を介して上層基板を積層一体化した絶縁基板上にヒートシンクを介してパワー半導体装置を実装した混成集積回路実装基板において、前記絶縁層上に形成した回路パターンが前記上層基板の局所的に欠落した欠落部から一部露出し、前記上層基板に形成された、ヒートシンクの略外形寸法の開口部に前記ヒートシンクが挿入されて前記開口部の底部の回路パターンと接合されると共に、前記欠落部から露出した前記回路パターンまたは前記上層基板上に形成された回路パターンと前記パワー半導体装置がボンディングワイヤにて接続されていることを特徴とする混成集積回路実装基板。
IPC (2件):
H01L 25/07 ,  H01L 25/18

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