特許
J-GLOBAL ID：200903016868288026
電界効果トランジスタおよびその製造方法、ならびにそのトランジスタを用いた不揮発性記憶素子および不揮発性記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲岡 耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-320708
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160410
出願日： 1991年12月04日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】【構成】P型シリコン基板11の表面に、N+ 型高濃度不純物領域13A,13Bを接続するようにP型炭化シリコン層14が形成されている。この炭化シリコン層14に強誘電体膜15およびゲート電極16が順に積層されている。ソース・ドレイン間のチャネルは、炭化シリコン層14内に形成される。【効果】炭化シリコンには強誘電体材料中に含まれる金属や酸素が拡散しにくいので、強誘電体膜15の形成後の熱処理の際にも炭化シリコン層14が侵されることはなく、良好なFET特性を実現できる。
請求項（抜粋）：
ソース・ドレイン領域となる或る導電形式の高濃度不純物領域を間隔を開けて形成した半導体基板と、上記高濃度不純物領域の間を接続するように上記半導体基板表面に形成された上記高濃度不純物領域とは逆の導電形式の炭化シリコン層と、この炭化シリコン層に積層して形成した強誘電体膜と、この強誘電体膜上に形成したゲート電極とを含むことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
