特許
J-GLOBAL ID：200903016871327725
半導体発光素子、ならびに当該発光素子を用いた光学検知装置、光学的情報処理装置及び発光装置。
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-218240
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045649
出願日： 1992年07月24日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】 微小な発光径を有し、しかも高い発光効率を有する半導体発光素子を提供する。【構成】 上面に窪み2を形成された半導体基板1の上に多層反射膜層3を設ける。多層反射膜層3は窪み2に沿って形成され、凹状部分4を有する。この上にn型下クラッド層5、活性層6、p型上クラッド層7、p型拡散ストップ層8、n型電流ブロック層9及びp型キャップ層10を成長させる。ついで、キャップ層10から上クラッド層までp型不純物を拡散させ、窪み2に対応する位置に電流狭窄領域11を形成する。キャップ層の上に設けたp側電極12には電流狭窄領域11に対応して光出射窓13を開口する。
請求項（抜粋）：
凹状の窪みが形成された基板の上方に、当該凹状の窪みの形状に沿って、屈折率の異なる2種の薄膜を複数層交互に積層してなる多層反射膜層を形成し、前記多層反射膜層の上方に活性層を形成するとともに、前記凹状の窪みの上方に電流狭窄領域を形成し、前記活性層の上方から光を出射させるようにした半導体発光素子。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, B41J 2/44
, G01D 5/36
, G06K 7/10
