特許

J-GLOBAL ID：200903016875846735

CMOS構成の出力回路を有する半導体装置

発明者： 寺本 知恵理
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-336644
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202009
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】高速化のためにサリサイド技術を用いた場合でも、高密度でかつ安定な動作を行う保護用抵抗素子を具備するCMOS構成の出力回路を提供する。【構成】半導体基板1に出力端子43と、CMOSと、出力端子43-CMOS間の保護用抵抗素子53とを具備する出力回路が形成されている。この保護用抵抗素子53は、半導体基板1に形成された拡散層6と、拡散層6の表面領域33上にゲート絶縁膜25を介し形成された固定電位VDDのゲート電極26とを有して構成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板にPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタとNチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタを直列接続して形成することによりCMOSを構成し、前記半導体基板に形成された出力端子と前記CMOS間に保護回路を構成する保護用抵抗素子を具備する半導体装置において、前記保護用抵抗素子は、前記半導体基板に形成された拡散層と前記拡散層の表面上にゲート絶縁膜を介して形成された固定電位のゲート電極とを有することを特徴とするCMOS構成の出力回路を有する半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/08 331

FI (3件)：

H01L 27/08 321 H ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/06 311 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-085553
  
• 特開平3-238919
  
• 特開昭61-043464