特許
J-GLOBAL ID：200903016876474343
量子井戸半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-216693
公開番号（公開出願番号）：特開平10-084170
出願日： 1988年11月11日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：
【要約】【課題】1.3〜1.55μmの波長帯ににおいて高性能の量子井戸半導体レーザを提供する。【解決手段】InP基板上に量子井戸構造を有する半導体レーザにおいて、その量子井戸構造中の量子井戸層、バリア層の少なくとも一方をGaAlInAsとし、さらに、量子井戸層を、その格子定数がInP基板の格子定数よりも大きくなる組成とする。
請求項（抜粋）：
InP基板上に1以上の量子井戸層と1以上のバリア層よりなる量子井戸構造を有する量子井戸半導体レーザ素子であって、量子井戸層、バリア層の少なくとも一方がGaAlInAsで構成され、かつ、量子井戸層の組成が、InPよりも格子定数が大きい組成であることを特徴とする量子井戸半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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